Учеными НЦФМ разработана топология интегральной схемы для производства прототипа чипа мемристорной памяти RRAM. В основе — традиционная кремниевая технология в части управляющих схем и новые технологии хранения информации. Эти исследования открывают возможности для производства в России перспективной памяти RRAM.
Сопротивление мемристора может изменяться в зависимости от прошедшего через него электрического заряда, то есть мемристор «запоминает» количество прошедшего через него заряда и сохраняет эту информацию в виде своего сопротивления. Такие свойства мемристора открывают возможности создания на его основе ячеек долговременной памяти и систем для «вычислений в памяти», причем мемристорные элементы памяти могут быть более компактными и быстрыми, чем элементы современной флэш-памяти, — отметил академик РАН Игорь Каляев, сопредседатель научных направлений НЦФМ
Источник @StranaRosatom